全球前十大晶圓代工營收排名

拓墣產業研究院在最新報告中指出，預估第一季全球晶圓代工總產值將較2018年同期衰退約16%，達146.2億美元。其中市占率排名前三的分別為臺積電、三星與格芯。盡管臺積電市占率達48.1%，但第一季營收年成長率衰退近18%。

2019年第一季晶圓代工業者排名與去年相比變化不大，僅力晶因12英寸代工需求下滑而面臨被高塔半導體反超的風險。

觀察前十大晶圓代工業者第一季的表現，包括臺積電(TSMC)、三星(Samsung LSI)、格芯 (GLOBALFOUNDRIES)、聯電(UMC)、中芯(SMIC)、力晶(Powerchip)等業者，因12英寸晶圓代工市場需求疲軟，第一季營收表現較去年同期下滑幅度均來到兩位數。

反觀以8英寸晶圓代工為主要業務的高塔半導體(TowerJazz)、世界先進(Vanguard)、華虹半導體(Hua Hong)、東部高科(Dongbu HiTek)等業者，盡管8英寸晶圓代工產能供不應求的現象已漸舒緩，年成長率表現仍不如去年同期亮眼。但相較于以12英寸為主力的晶圓代工廠第一季兩位數的衰退幅度，可以說其在半導體市場相對不景氣的第一季中穩住陣腳。

國內又一碳化硅項目將實現投產

近日，媒體報道，位于山東青島萊西經濟開發區的中科鋼研碳化硅項目正在加緊建設，今年將實現投產。

據悉，該項目總投資10億元，占地約80畝，建筑面積5萬平方米，主要生產高品質、大規格碳化硅晶體襯底片。項目達產后，將實現年產5萬片4英寸碳化硅晶體襯底片與5000片4英寸高純度半絕緣型碳化硅晶體襯底片。

中科鋼研表示，未來將把國家級先進晶體研究院設在萊西，專注碳化硅研發生產，力爭在三年內接近歐美最高水平。

目前全球碳化硅市場基本被國外企業所壟斷。國內市場，已初步形成了涵蓋各環節的碳化硅產業鏈，在政策利好以及市場驅動下，國內企業在這一環節正努力跟跑與趕超。

Q2 NAND Flash市場展望

集邦咨詢半導體研究中心（DRAMeXchange）調查指出，受到服務器需求疲弱、智能手機換機周期延長、蘋果新機銷售不如預期等終端需求不佳沖擊，2019年第一季各類NAND Flash產品合約價綜合季跌幅近20%，是自2018年初NAND Flash轉為供過于求以來跌幅最劇的一季。

展望第二季，DRAMeXchange分析師葉茂盛表示，歷經第一季的需求低谷之后，智能手機、筆記本電腦及服務器等主要需求較第一季有所改善。

另一方面，NAND Flash供應商紛紛透過抑制資本支出、減緩新制程產出比重，甚至透過減產壓抑產出，雖無法立即扭轉供過于求的態勢，但對于市場環境確實有正面的幫助。

綜上所述，第二季eMMC/UFS、SSD、Wafer等產品合約價仍將繼續下跌，但跌幅相較第一季則是有所收斂，落在10~15%的水位。

聞泰科技收購安世半導體新進展

聞泰科技收購安世半導體迎來重大進展，3月21日，聞泰科技發布一系列公告，確定了發行股份及支付現金購買資產并募集配套資金暨關聯交易報告書（草案），草案的公告意味著整個交易方案已經塵埃落定，走完股東大會審批流程后即可上報證監會。

聞泰科技的主要客戶為國際知名電子品牌廠商，其產品包括智能手機、IoT、筆記本電腦等，安世半導體所生產的電子產品核心元器件雖然廣泛應用于上述消費電子及計算機產品當中，但是40%客戶和市場在歐美，40%以上的營收來自于汽車功率半導體。

熟悉全球市場的聞泰科技可將安世半導體的產品大量引入到全球知名的手機、平板電腦、筆記本電腦、智能硬件等品牌客戶當中，幫助安世在消費電子、IoT、筆記本電腦市場領域擴大市場份額。雙方的合作將為未來雙方的發展發揮出“1+1>2”的協同效應。

如果順利通過證監會審批，在5G正式商用的前一年完成這筆中國最大的半導體收購案，雙方都迎來難得的發展良機。

廈門鑫天虹項目正式投產

日前，廈門火炬高新區的半導體設備項目鑫天虹公司正式投產。

2018年11月，鑫天虹項目正式落戶廈門火炬高新區。據悉，該項目計劃總投資2億美元，落戶后項目在短短三個月時間內完成了萬級、千級無塵車間的建設，預計這個月底將可交付第一臺半導體，隨著產能逐步提升，預計投產后第五年營收可達3.8億元。

廈門作為中國集成電路主要新興城市之一，現已聚集了聯芯、士蘭微、星宸、美日光罩等一系列企業，逐漸形成集成電路產業鏈。報道稱，鑫天虹是廈門首家半導體設備企業，該項目投產將彌補設備環節的缺失，進一步完善廈門集成電路產業鏈條。

近年來，國內正在大力發展集成電路產業，但最“卡脖子”的環節其實是材料設備業，國內大多制造設備仍依賴進口，不少地方政府亦正在努力補足這一環節，如無錫等城市亦大力推動設備業發展。

三星宣布推出1Z納米制程DRAM

全球DRAM龍頭三星21日宣布，首次業界開發第3代10納米等級（1Z納米制程）8GB高性能DRAM。這也是三星發展1Y納米制程DRAM之后，經歷16個月，再開發出更先進制程的DRAM產品。

三星表示，1Z納米制程8GBDDR4DRAM的正式大量生產時間將落在2019下半年，以應對下一代企業服務器需求，并有望能在2020年支援新高階個人計算機。

隨著1Z納米制程產品問世，并成為業界最小的存儲器生產節點，目前三星已準備好用新的1Z納米制程DDR4DRAM滿足日益成長的市場需求，生產效率比以前1Y納米等版DDR4DRAMUL4高20%以上。

三星表示，1Z納米制程8GBDDR4DRAM的正式大量生產時間將落在2019下半年，以應對下一代企業服務器需求，并有望能在2020年支援新高階個人計算機。

除了提供市場需求，三星還指出，跨入1Z納米制程的DRAM生產，將為全球IT加快朝向下一代DRAM界面，包括DDR5、LPDDR5和GDDR6等預做準備。

圖片聲明：封面圖片來源于正版圖片庫，拍信網。

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